Выраженная СПРН-feht. Сокращение для полевой транзистор со структурой металл-окисел-полупроводник. Они используются во многих ситуациях, когда требуется преобразовать напряжение. На вашей материнской плате, например, чтобы генерировать CPU Voltage, напряжения памяти, AGP напряжение и т.д.

Mosfets обычно используются в парах. Если вы видите шесть MOSFETs вокруг вашего процессорного сокета у вас есть трехфазное питание.

Техническая информация
МОП-транзисторы в четырех различных типов. Они могут быть повышение или режиме истощения, и они могут быть N-каналом или каналом р-типа. Для этого приложения мы заинтересованы только в п-канальных МОП-транзисторов в режиме усиления, и они будут единственными, кто говорил о теперь. Есть также МОП-транзисторы логического уровня и нормальные МОП-транзисторы. Единственное различие между ними является уровень напряжения требуется на затворе.

В отличие от биполярных транзисторов, которые в основном текущие управляемые устройства, МОП-транзисторы являются управляемые напряжением питания устройства. При отсутствии положительного напряжения не прикладывается между затвором и истоком МОП-транзистор всегда непроводящими. Если мы применим положительный UGS напряжения к затвору мы установим электростатическое поле между ним и остальной частью транзистора. Положительное напряжение затвора будет отталкивать «дырок» внутри р-типа подложки и привлекает подвижные электроны в регионах п-типа под электродами стока и истока. Это создает слой непосредственно под изолятором ворот, через который электроны могут попасть и двигаться вперед от истока к стоку. Положительное напряжение затвора поэтому "создает" канал в верхнем слое материала между окисью и п-Si. Увеличение значения положительного напряжения затвора выталкивает отверстия р-типа еще дальше, и увеличивает толщину созданного канала. В результате мы видим, что размер канала мы сделали возрастает с увеличением размера напряжения на затворе и усиливает или увеличивает количество тока, который может идти от источника до вытекание именно поэтому этот вид транзистора называется повышение режим устройства.

тестирование МОП-транзистор

Получить мультиметр с диапазоном проверки диодов.

Подключите прибор к источнику негативного МОП ПТ.
Держите МОП-транзистор по делу или на вкладке, если вы хотите, это не имеет значения, если вы касаетесь металлический корпус, но будьте осторожны, чтобы не касаться проводов, пока не нужно. Не позволяйте МОП-транзистор, чтобы войти в контакт с вашей одежды, пластиковых или пластмассовых изделий и т.д. из-за высоких статических напряжений он может генерировать.
Первое касание метр положительный результат к воротам.
Теперь переместите положительный щуп измерителя к стоку. Вы должны получить низкие показания. Емкость затвора полевого МОП-транзистора была заряжена до измерителем и устройство включено.

С метр положительным еще подключен к стоку, касаетесь пальцем между истоком и затвором (и слейте, если вы хотите, это не имеет значения). Ворота будут разряжаться через палец и показания измерительного прибора должны идти высокими, что указывает на запертое устройство.

Предыдущая:Что такое DRM?

Далее:Что такое MOSFET и драйверы MOSFET?

Оставить сообщение

Список сообщений

Комментарии Загрузка ...